随着5G时代的到来，，，为满足高频、、、、高功率的需求，，，GaN射频器件逐渐成为通信卫星等领域的重要候选者。。但这种巨大的能量也会在芯片区域产生大量的热，，，，这些热量如果不能及时散出，，，将会导致器件的稳定性与可靠性下降，，，严重影响器件性能的发挥，，，甚至会造成器件失效。。。
目前GaN射频器件的衬底材料主要为SiC，，，，虽然SiC材料有较高的热导率(350W/m.k.)，，，但是，，仍然无法满足器件的散热需求，，，只能发挥 20%~30%的理论性能。。因此，，，，提升GaN器件的散热能力，，，是进一步增强器件功率密度和转换效率的关键。。。
金刚石是自然界中已知热导率最高的材料，，同时其具有非常稳定的物理和化学性能。。金刚石热导率最高可达2 000 W/m.k.以上，，其热导率是GaN生长常用的衬底材料SiC的5倍多，，，，Si的13倍多，，，，蓝宝石的57倍多。。。。因此，，金刚石是GaN器件最理想的衬底材料。。。。
目前，，采用金刚石作为散热衬底解决GaN器件散热问题的技术主要有两种。。。。第一种是异质键合技术，，，第二种是GaN上直接生长金刚石技术，，，这种技术可以使金刚石能够尽可能近地与GaN功能层接触，，，并且可以获得较低的界面热阻。。
通过测试表明，，，， 与SiC基GaN HEMT器件相比，，，金刚石基GaN HEMT器件的输出功率密度可提升将近30%。。。这一结果表明，，由金刚石作为散热衬底制备成的GaN HEMT器件可实现大功率、、、高频率、、、、超低能耗等优异性能，，，在新一代固态微波功率器件领域有巨大的应用潜力。。。。
星樽采用MPCVD制备高质量金刚石，，，现已有成熟产品：晶圆级金刚石、、金刚石热沉片、、、金刚石窗口片、、、金刚石基异质集成复合衬底等，，，，其生产的晶圆级金刚石Ra<1nm，，，，金刚石热沉片热导率1000-2000W/m.k，，，客户已经证明，，采用星樽的金刚石作为衬底材料，，可以有效地散热，，，从而降低过热风险，，，延长电子设备的使用寿命。。
